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5G及新興應用驅動   GaN/SiC功率半導體前景光明

5G及新興應用驅動   GaN/SiC功率半導體前景光明

 

奠基4G的基礎,以及新興應用對於行動網路低延遲、高傳輸速率的需求,5G行動通訊技術在全球業者的期待之下,加速發展中。隨著2018年標準底定時間越來越接近,相關半導體廠商、網通設備商,以及其他相關業者,對5G技術架構的了解有越來清晰的輪廓。

 

5G行動技術的發展也為半導體產業帶來新的發展前景與技術挑戰。其中,由於5G行動通訊技術有部分將採用較高頻段以實現高速傳輸,以及超低延遲能力,同時,卻不能因5G使用超高頻段而使得基地台或行動裝置的功耗飆高,也因此,高效能功率與化合物半導體元件—氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)—在5G技術相關終端產品發展歷程中,不僅將扮演重要角色,其市場發展也可因受惠5G市場而有巨大的增長契機。

 

舉例來說,行動裝置與基地台不可或缺的射頻(RF)與電源功率元件,為了滿足省電、小尺寸及更高效能的需求,自4G技術開始發展時,砷化鎵、氮化鎵、碳化矽等RF功率放大器(Power Amplifier,PA)即已開始嶄露頭角,而隨著5G的技術不斷發展,未來功率表現更佳的氮化鎵將可望成為市場主流。

 

眾所周知,氮化鎵及砷化鎵功率半導體相較於傳統的矽(Si)功率半導體具備諸多優勢,如開關速度快、電流損耗低、功率密度更高…等,還有諸多特性是矽功率半導體難以望其項背,唯獨成本仍落後矽功率半導體較多距離。但在相關材料、製程設備與技術相關業者共同努力下,相信未來氮化鎵、砷化鎵功率半導體能夠在製程技術上有新進展。

 

不僅如此,在5G應用之外,包括太陽能逆變器、電動車…等,氮化鎵及碳化矽功率元件也已成為相關廠商注目的焦點。根據Yole Développement針對碳化矽功率元件所做的預測,至2022年,在新興應用驅動下,碳化矽元件整體市場規模將增長至10億美元以上,2020~2022年間的年複合成長率(CAGR)可達40%。另一方面,日本富士經濟的調查亦顯示,到2020年全球功率半導體的市場規模33,009億日圓,其中,氮化鎵、碳化矽等新一代功率半導體增長率較其他功率半導體高,銷售額可望達到1,665億日圓。

 

如此龐大且前景可期的誘人商機,能錯過嗎?為讓2017年SEMICON Taiwan國際半導體展與會者更深入了解新一代功率元件的最新技術發展,以及其在5G或其他應用領域的發展機會,2017年特別規劃「功率暨化合物半導體論壇(Power & Compound Semiconductor Forum)」,邀集台達電、Fraunhofer IISB、Wolfspeed、 imec、KLA-Tencor、華為、穩懋、絡達科技、Veeco、Yole Développement等功率半導體及5G產業關鍵廠商與研究單位分析最新氮化鎵、碳化矽與砷化鎵功率元件製程技術的進展,以及5G和其他應用中,這些新興功率元件的技術發展關鍵與契機,內容精彩可期,不容錯過!

 

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